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FJX4002RTF 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-70, SOT-323
Supplier Device Package SC-70 (SOT323)
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC -50V
Current Rating -100mA
Element Configuration Single
Power - Max 200mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz
hFE Min 30
Continuous Collector Current -100mA
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 200mW
Polarity PNP
Power Dissipation 200mW
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Emitter Base Voltage (VEBO) -10V
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Lead Free Lead Free
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FJX4001RTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 15273
FJX4001RTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 15305
FJX4001RTF ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJX4002RTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 140380
FJX4002RTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 140380
FJX4002RTF Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
FJX4003RTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3251
FJX4003RTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 5617
FJX4003RTF ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJX4004RTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 77755

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