FJY4012R 技術仕様

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY4012R Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 200 MHz, 200 mW, -100 mA, 100 hFE

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SC-89, SOT-490
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 200mW
Base Part Number FJY4012
Element Configuration Single
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Base (R1) 47 k Ω
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC -40V
Current Rating -100mA
Polarity PNP
Power Dissipation 200mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Max Breakdown Voltage 40V
hFE Min 100
Continuous Collector Current -100mA
RoHS Status RoHS Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
FJY4001R Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 57000
FJY4001R AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 57000
FJY4001R Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
FJY4001R ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJY4002R Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2275
FJY4002R AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 117956
FJY4002R ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJY4003R AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 30368
FJY4003R Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 30201
FJY4003R Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ

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