FQA13N50C-F109 技術仕様

MOSFET N-CH 500V 13.5A

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Power Dissipation-Max 218W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±30V
Drain-source On Resistance-Max 0.48Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 500V
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480m Ω @ 6.75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2055pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 13.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 54A
Avalanche Energy Rating (Eas) 860 mJ
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FQA13N50 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2557
FQA13N50C Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 16886
FQA13N50C AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 16886
FQA13N50C-F109 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2715
FQA13N50CF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2769
FQA13N50CF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2554
FQA13N50CF ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
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