FQA7N80C-F109 技術仕様

MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form THROUGH-HOLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max 1.9Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 800V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount NO
Packaging Tube
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Transistor Application SWITCHING
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 28A
Avalanche Energy Rating (Eas) 580 mJ
Power Dissipation-Max (Abs) 198W
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FQA7N80 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3632
FQA7N80C Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 4512
FQA7N80C AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2857
FQA7N80C-F109 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2686
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FQA7N80_F109 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2646
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