FQB1P50TM 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -500V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 3.13W Ta 63W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 Ω @ 750mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 6A
Length 9.65mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Current Rating -1.5A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.13W
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A Tc
Rise Time 25ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.5A
Drain to Source Breakdown Voltage -500V
Height 4.83mm
Width 10.67mm
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
FQB1P50TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2688
FQB1P50TM Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2794

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