FQH8N100C 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 225W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 50 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A Tc
Rise Time 95ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 80 ns
Continuous Drain Current (ID) 8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 1kV
Height 20.82mm
Width 4.82mm
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 225W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45 Ω @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3220pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 122 ns
JEDEC-95 Code TO-247AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8A
Avalanche Energy Rating (Eas) 850 mJ
Length 15.87mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FQH8N100C AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 12606
FQH8N100C Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 575

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