FQI50N06TU 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 60V
Current Rating 50A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.75W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22m Ω @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1540pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 65 ns
Continuous Drain Current (ID) 50A
Drain-source On Resistance-Max 0.022Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 200A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Weight 2.084g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Power Dissipation-Max 3.75W Ta 120W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A Tc
Rise Time 105ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Avalanche Energy Rating (Eas) 490 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
FQI50N06 FAIRCHILD 特殊なホットIC 2697
FQI50N06L VB 特殊なホットIC 2000
FQI50N06LTU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2620
FQI50N06LTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2703
FQI50N06TU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2541
FQI50N06TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2530

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