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FQP12N60C
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FQP12N60C 技術仕様
FQP12N60C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 6 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 1.8g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 650mOhm |
Voltage - Rated DC | 600V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 225W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650m Ω @ 6A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 90 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 12A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Dual Supply Voltage | 600V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.1mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 12A |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 225W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 30 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A Tc |
Rise Time | 85ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 155 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 48A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 870 mJ |
Height | 9.4mm |
Width | 4.7mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQP12N60C 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください FQP12N60C
-
データシート
その他には以下が含まれます: "FQP12" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'FQP12'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
FQP12N20 | FSC | 特殊なホットIC | 1372 |
FQP12N20 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 648 |
FQP12N40 | FAIRCHILD | 特殊なホットIC | 353 |
FQP12N50 | FAIRCHILD | 特殊なホットIC | 2690 |
FQP12N60 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 29721 |
FQP12N60 | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 288 |
FQP12N60C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 28382 |
FQP12N60C | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2367 |
FQP12N65C | VB | 特殊なホットIC | 5000 |
FQP12P10 | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 12336 |
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輸送方法 | ||
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