GBPC2510 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / ブリッジ整流器
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Screw
Package / Case 4-Square, GBPC
Supplier Device Package GBPC
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Rated DC 1kV
Current Rating 25A
Number of Elements 1
Diode Type Single Phase
Power Dissipation 83.3W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 12.5A
Max Reverse Leakage Current 5μA
Current - Average Rectified (Io) 25A
Average Rectified Current 25A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 1kV
Max Forward Surge Current (Ifsm) 300A
Height 11.23mm
Width 29mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type QC Terminal
Number of Pins 4
Weight 16.74g
Packaging Bulk
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Capacitance 180pF
Technology Standard
Base Part Number GBPC2510
Element Configuration Single
Current - Reverse Leakage @ Vr 5μA @ 1000V
Output Current 25A
Forward Current 25A
Max Surge Current 300A
Forward Voltage 1.1V
Peak Reverse Current 5μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 300A
Voltage - Peak Reverse (Max) 1kV
Length 29mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
GBPC25005 AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 2643
GBPC25005 Fairchild/ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 2638
GBPC25005 Diodes Incorporated ダイオード - ブリッジ整流器 2780
GBPC25005 ON Semiconductor ブリッジ整流器
GBPC25005 T0G TSC (Taiwan Semiconductor) ダイオード - ブリッジ整流器 2607
GBPC25005 T0G Taiwan Semiconductor Corporation ブリッジ整流器
GBPC25005-E4/51 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 2757
GBPC25005-E4/51 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - ブリッジ整流器 2645
GBPC25005-E4/51 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器
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