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GBU4B 技術仕様

GBU4B datasheet pdf and Diodes - Bridge Rectifiers product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / ブリッジ整流器
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case 4-SIP, GBU
Supplier Device Package GBU
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 4A
Number of Elements 1
Diode Type Single Phase
Power Dissipation 8W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 4A
Max Reverse Leakage Current 5μA
Current - Average Rectified (Io) 4A
Average Rectified Current 3A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 100V
Max Forward Surge Current (Ifsm) 150A
Height 18.8mm
Width 3.56mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Weight 5.4g
Packaging Tube
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Capacitance 200pF
Technology Standard
Base Part Number GBU4B
Element Configuration Single
Current - Reverse Leakage @ Vr 5μA @ 100V
Output Current 4A
Forward Current 4A
Max Surge Current 150A
Forward Voltage 1V
Peak Reverse Current 5μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 150A
Voltage - Peak Reverse (Max) 100V
Length 22.3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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GBU4B 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
GBU4B AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 2546
GBU4B GeneSiC Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 2599
GBU4B Fairchild/ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 2775
GBU4B-BP Micro Commercial Components (MCC) ダイオード - ブリッジ整流器 2505
GBU4B-BP Micro Commercial Co ブリッジ整流器
GBU4B-E3/45 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - ブリッジ整流器 2500
GBU4B-E3/45 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 2714
GBU4B-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器
GBU4B-E3/51 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - ブリッジ整流器 2661
GBU4B-E3/51 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器

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