GBU4M 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / ブリッジ整流器
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Weight 5.4g
Packaging Tube
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Capacitance 200pF
Max Power Dissipation 8W
Current Rating 4A
Number of Elements 1
Diode Type Single Phase
Output Current 4A
Forward Current 4A
Current - Average Rectified (Io) 4A
Peak Reverse Current 5μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 150A
Voltage - Peak Reverse (Max) 1kV
Height 18.8mm
Width 3.56mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Through Hole
Package / Case 4-SIP, GBU
Supplier Device Package GBU
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Rated DC 1kV
Technology Standard
Base Part Number GBU4M
Element Configuration Single
Current - Reverse Leakage @ Vr 5μA @ 1000V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 4A
Max Surge Current 150A
Forward Voltage 1V
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 1kV
Max Forward Surge Current (Ifsm) 150A
Reverse Voltage (DC) 700V
Length 22.3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
GBU4M GeneSiC Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 2720
GBU4M Fairchild/ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 1606
GBU4M AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 3207
GBU4M-7001E3/51 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器
GBU4M-BP Micro Commercial Components (MCC) ダイオード - ブリッジ整流器 2656
GBU4M-BP Micro Commercial Co ブリッジ整流器
GBU4M-E3/45 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 2637
GBU4M-E3/45 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - ブリッジ整流器 2734
GBU4M-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器
GBU4M-E3/51 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 13

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