GBU6K 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / ブリッジ整流器
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Weight 5.4g
Packaging Tube
Part Status Active
Max Operating Temperature 150°C
Capacitance 400pF
Technology Standard
Base Part Number GBU6K
Element Configuration Single
Current - Reverse Leakage @ Vr 5μA @ 800V
Output Current 6A
Forward Current 6A
Max Surge Current 175A
Forward Voltage 1V
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 800V
Max Forward Surge Current (Ifsm) 175A
Height 18.8mm
Width 3.56mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Through Hole
Package / Case 4-SIP, GBU
Supplier Device Package GBU
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Rated DC 800V
Current Rating 6A
Number of Elements 1
Diode Type Single Phase
Power Dissipation 12W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 6A
Max Reverse Leakage Current 5μA
Current - Average Rectified (Io) 6A
Peak Reverse Current 5μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 175A
Voltage - Peak Reverse (Max) 800V
Length 22.3mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
GBU6K Fairchild/ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 8970
GBU6K GeneSiC Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 5291
GBU6K AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 8811
GBU6K-5410M3/51 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器
GBU6K-BP Micro Commercial Components (MCC) ダイオード - ブリッジ整流器 2734
GBU6K-BP Micro Commercial Co ブリッジ整流器
GBU6K-E3/22 VIS 特殊なホットIC 3300
GBU6K-E3/45 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - ブリッジ整流器 2509
GBU6K-E3/45 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 2532
GBU6K-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器

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