H11D1M 技術仕様

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

製品の属性 属性値
Category アイソレーター / 光起電力オプトアイソレータ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case 6-DIP (0.300, 7.62mm)
Supplier Device Package 6-DIP
Operating Temperature -40°C~100°C
Published 2000
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Isolation 4170Vrms
Number of Elements 1
Power Dissipation 300mW
Input Type DC
Max Output Voltage 300V
Rise Time 5μs
Fall Time (Typ) 5 μs
Max Collector Current 100mA
Reverse Breakdown Voltage 6V
Max Input Current 80mA
Current - DC Forward (If) (Max) 80mA
Turn On / Turn Off Time (Typ) 5μs, 5μs
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 6
Weight 855mg
Packaging Tube
Part Status Active
Max Operating Temperature 100°C
Max Power Dissipation 300mW
Output Type Transistor with Base
Number of Channels 1
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.15V
Forward Current 80mA
Output Current per Channel 100mA
Forward Voltage 1.15V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400mV
Current - Output / Channel 100mA
Voltage - Output (Max) 300V
Collector Emitter Saturation Voltage 400mV
Current Transfer Ratio (Min) 20% @ 10mA
Vce Saturation (Max) 400mV
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
H11D1 Electro-Films (EFI) / Vishay オプトアイソレータ - トランジスタ、光起電力出力 10556
H11D1 Vishay / Semiconductor - Opto Division オプトアイソレータ - トランジスタ、光起電力出力 10309
H11D1 Fairchild/ON Semiconductor オプトアイソレータ - トランジスタ、光起電力出力 10358
H11D1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor オプトアイソレータ - トランジスタ、光起電力出力 10475
H11D1 Lite-On, Inc. オプトアイソレータ - トランジスタ、光起電力出力 2404
H11D1 Lite-On Inc. 光起電力オプトアイソレータ
H11D1 Vishay Semiconductor Opto Division 光起電力オプトアイソレータ
H11D1 ON Semiconductor 光起電力オプトアイソレータ
H11D1 IC Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 1365
H11D1-X007 Electro-Films (EFI) / Vishay オプトアイソレータ - トランジスタ、光起電力出力 2639

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