J112G 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / JFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e1
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 35V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 50mA
Base Part Number J112
Number of Elements 1
Operating Mode DEPLETION MODE
Transistor Application CHOPPER
Drain to Source Voltage (Vdss) 35V
Drain-source On Resistance-Max 50Ohm
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1V @ 1μA
Height 6.35mm
Width 6.35mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 453.59237mg
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 350mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Breakdown Voltage -35V
Gate to Source Voltage (Vgs) -35V
FET Technology JUNCTION
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V
Resistance - RDS(On) 50Ohm
Length 19.05mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
J112G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - JFET 20235
J112G Rochester Electronics, LLC JFETトランジスタ
J112G/MJD112T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 562

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