J112RL1 技術仕様

JFET N-CH 35V 0.35W TO92

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / JFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 35V
Terminal Position BOTTOM
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 3
Number of Elements 1
Operating Mode DEPLETION MODE
Transistor Application CHOPPER
Gate to Source Voltage (Vgs) 35V
FET Technology JUNCTION
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V
Resistance - RDS(On) 50Ohm
Lead Free Contains Lead
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2000
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Additional Feature EUROPEAN PART NUMBER
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 350mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 50mA
Base Part Number J112
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 35V
Drain-source On Resistance-Max 50Ohm
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1V @ 1μA
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
J112RL1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - JFET 2631
J112RL1 Rochester Electronics, LLC JFETトランジスタ
J112RL1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - JFET 2701
J112RL1G ON Semiconductor JFETトランジスタ
J112RLRA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - JFET 2535
J112RLRA ON Semiconductor JFETトランジスタ
J112RLRAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - JFET 66700
J112RLRAG ON Semiconductor JFETトランジスタ
J112RLRAG Rochester Electronics, LLC JFETトランジスタ

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