J271 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / JFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 201mg
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 350mW
Element Configuration Single
FET Type P-Channel
Continuous Drain Current (ID) 28mA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 6mA @ 15V
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC -30V
Current Rating -50mA
Power Dissipation 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1.5V @ 1nA
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J271 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - JFET 2659
J271 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - JFET 2655

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