KBL06 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / ブリッジ整流器
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case 4-SIP, KBL
Supplier Device Package KBL
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 4A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Diode Type Single Phase
Power Dissipation 6.58W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A
Max Reverse Leakage Current 5μA
Current - Average Rectified (Io) 4A
Peak Reverse Current 5μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 200A
Voltage - Peak Reverse (Max) 600V
Length 19.6mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Weight 5.038986g
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Technology Standard
Base Part Number KBL06
Voltage 600V
Current 4A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5μA @ 600V
Output Current 4A
Forward Current 4A
Max Surge Current 200A
Forward Voltage 1.1V
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 600V
Max Forward Surge Current (Ifsm) 200A
Height 16.38mm
Width 6.48mm
RoHS Status RoHS Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
KBL06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 339
KBL06 Fairchild/ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 1000469
KBL06 Rochester Electronics, LLC ブリッジ整流器
KBL06-E4/51 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 2776
KBL06-E4/51 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - ブリッジ整流器 2723
KBL06-E4/51 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器
KBL06/1 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - ブリッジ整流器 2789
KBL06/1 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 2658
KBL06/1 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器

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