KBP10M 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / ブリッジ整流器
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case 4-SIP, KBPM
Supplier Device Package KBPM
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 165°C
Capacitance 15pF
Max Power Dissipation 3.5W
Current Rating 1.5A
Diode Type Single Phase
Power Dissipation 3.5W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A
Max Reverse Leakage Current 5μA
Current - Average Rectified (Io) 1.5A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 1kV
Voltage - Peak Reverse (Max) 1kV
Length 15.24mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~165°C TJ
Part Status Obsolete
Termination Through Hole
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Rated DC 1kV
Technology Standard
Number of Elements 1
Current - Reverse Leakage @ Vr 5μA @ 1000V
Output Current 1.5A
Forward Current 1.5A
Max Surge Current 50A
Forward Voltage 1.3V
Peak Non-Repetitive Surge Current 50A
Height 12.7mm
Width 5.08mm
RoHS Status RoHS Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
KBP101G C2 TSC (Taiwan Semiconductor) ダイオード - ブリッジ整流器 2634
KBP101G C2 Taiwan Semiconductor Corporation ブリッジ整流器
KBP101G C2G TSC (Taiwan Semiconductor) ダイオード - ブリッジ整流器 0
KBP101G C2G Taiwan Semiconductor Corporation ブリッジ整流器
KBP102G C2 TSC (Taiwan Semiconductor) ダイオード - ブリッジ整流器 2596
KBP102G C2 Taiwan Semiconductor Corporation ブリッジ整流器
KBP102G C2G TSC (Taiwan Semiconductor) ダイオード - ブリッジ整流器 2692
KBP102G C2G Taiwan Semiconductor Corporation ブリッジ整流器
KBP103G TSC 特殊なホットIC 39
KBP103G C2 TSC (Taiwan Semiconductor) ダイオード - ブリッジ整流器 0

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KBP10M ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, KBP10M 参考価格. KBP10M パラメーター, KBP10M データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 KBP10M プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 KBP10M ピン図と回路図と機能の使用方法、 KBP10M エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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