KBU8M 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / ブリッジ整流器
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case 4-SIP, KBU
Supplier Device Package KBU
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Termination Through Hole
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 6.9W
Current Rating 8A
Number of Elements 1
Current - Reverse Leakage @ Vr 10μA @ 1000V
Output Current 8A
Forward Current 8A
Max Surge Current 300A
Forward Voltage 1V
Peak Non-Repetitive Surge Current 300A
Voltage - Peak Reverse (Max) 1kV
Length 23.7mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Weight 9.00001g
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 1kV
Technology Standard
Base Part Number KBU8M
Diode Type Single Phase
Power Dissipation 6.9W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 8A
Max Reverse Leakage Current 10μA
Current - Average Rectified (Io) 8A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 1kV
Max Forward Surge Current (Ifsm) 300A
Height 19.3mm
Width 7.1mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
KBU8M Fairchild/ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 3027
KBU8M GeneSiC Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 264
KBU8M AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - ブリッジ整流器 2710
KBU8M-E4/51 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 2669
KBU8M-E4/51 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - ブリッジ整流器 2511
KBU8M-E4/51 Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器

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