KSC3123RMTF 技術仕様

RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / RF BJT トランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 20V
Current Rating 50mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 150mW
Transistor Type NPN
Max Collector Current 50mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Max Frequency 1.4GHz
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 60
Noise Figure (dB Typ @ f) 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 150mW
Frequency 1.4GHz
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Gain Bandwidth Product 1.4 GHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
Gain 20dB ~ 23dB
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Frequency - Transition 1.4GHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 3V
Continuous Collector Current 50mA
RoHS Status RoHS Compliant
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KSC3123 FSC 特殊なホットIC 3500
KSC3123OMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 12251
KSC3123OMTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 12205
KSC3123OMTF Rochester Electronics, LLC RF BJT トランジスタ
KSC3123OMTF ON Semiconductor RF BJT トランジスタ
KSC3123RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 6356
KSC3123RMTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 3442
KSC3123RMTF Rochester Electronics, LLC RF BJT トランジスタ
KSC3123YMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 63000
KSC3123YMTF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 63000

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