MBR20100CTTU 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 整流ダイオードアレイ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.10.00.80
Terminal Position SINGLE
Number of Elements 2
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 200μA @ 100V
Forward Current 10A
Application EFFICIENCY
Max Reverse Voltage (DC) 100V
Number of Phases 1
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 100V
Peak Non-Repetitive Surge Current 150A
Max Forward Surge Current (Ifsm) 150A
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Diode Element Material SILICON
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature LOW POWER LOSS
Subcategory Rectifier Diodes
Base Part Number MBR20100CT
Element Configuration Common Cathode
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 800mV @ 10A
Operating Temperature - Junction 150°C Max
Forward Voltage 900mV
Average Rectified Current 10A
Peak Reverse Current 200μA
JEDEC-95 Code TO-220AB
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Height 16.51mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
MBR200100 MOTOROLA IGBTモジュール 2797
MBR200100CT GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2727
MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2700
MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2518
MBR200100R MOTOROLA IGBTモジュール 2689
MBR20010CT MOTOROLA IGBTモジュール 2600
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2682
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2730
MBR20015CTL MOTOROLA IGBTモジュール 2844
MBR20020 MOTOROLA IGBTモジュール 3000

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