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MMUN2217LT1G
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MMUN2217LT1G 技術仕様
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 11 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Polarity | NPN |
Power - Max | 246mW |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
hFE Min | 35 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 k Ω |
Lead Free | Lead Free |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 246mW |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
MMUN2217LT1G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MMUN2217LT1G
-
データシート
その他には以下が含まれます: "MMUN2" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MMUN2'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MMUN2111 | N/A | 特殊なホットIC | 3000 |
MMUN2111LT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 1397 |
MMUN2111LT1 | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MMUN2111LT1 | Rochester Electronics, LLC | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MMUN2111LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 5340 |
MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MMUN2111LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 7669 |
MMUN2111LT3G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MMUN2111RLT1 | LRC | 特殊なホットIC | 3500 |
MMUN2111RLT1G | ON | 特殊なホットIC | 4270 |
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輸送方法 | ||
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