MPSH81 技術仕様

RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / RF BJT トランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 195mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 350mW
Current Rating -50mA
Base Part Number MPSH81
Number of Elements 1
Power Dissipation 350mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
Transition Frequency 600MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 3V
Continuous Collector Current 50mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position BOTTOM
Frequency 600MHz
Pin Count 3
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type PNP
Max Collector Current 50mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Collector Base Voltage (VCBO) 20V
hFE Min 60
Collector-Base Capacitance-Max 0.85pF
RoHS Status RoHS Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
MPSH81 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2570
MPSH81 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2748
MPSH81 Central Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2686
MPSH81 Central Semiconductor Corp RF BJT トランジスタ
MPSH81 Fairchild Semiconductor Corporation RF BJT トランジスタ
MPSH81 TRE Central Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2512
MPSH81 TRE Central Semiconductor Corp RF BJT トランジスタ
MPSH81_D26Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2733
MPSH81_D26Z Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2558
MPSH81_D26Z ON Semiconductor RF BJT トランジスタ

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