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MUN5235T1
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MUN5235T1 技術仕様
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Published | 2007 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 202mW |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 202mW |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
Lead Free | Contains Lead |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 21.36 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
Current Rating | 100mA |
Base Part Number | MUN52**T |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | 100mA |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
MUN5235T1 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MUN5235T1
-
データシート
その他には以下が含まれます: "MUN52" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MUN52'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MUN5211 | ZXDZ | 特殊なホットIC | 15500 |
MUN5211DW1T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 1164 |
MUN5211DW1T1 | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
MUN5211DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2411 |
MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
MUN5211T1 | ON | 特殊なホットIC | 10800 |
MUN5211T1 | Rochester Electronics, LLC | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MUN5211T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 115900 |
MUN5211T1G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MUN5211T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 9207 |
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