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MUN5313DW1T1G
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MUN5313DW1T1G 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Published | 2004 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 250mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 6 |
Polarity | NPN, PNP |
Power Dissipation | 256mW |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 100mA |
Base Part Number | MUN53**DW1 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
MUN5313DW1T1G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MUN5313DW1T1G
-
データシート
その他には以下が含まれます: "MUN53" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MUN53'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MUN53110W1T1 | ON | 特殊なホットIC | 3100 |
MUN5311DW1T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 163800 |
MUN5311DW1T1 | Rochester Electronics, LLC | BJTトランジスタアレイ | |
MUN5311DW1T1 | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
MUN5311DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 500373 |
MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
MUN5311DW1T2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2632 |
MUN5311DW1T2G | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
MUN5312DW1T | ON | 特殊なホットIC | 6500 |
MUN5312DW1T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 16600 |
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