NGTB20N135IHRWG 技術仕様

Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一IGBT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 11 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-247-3
Number of Pins 3
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 394W
Element Configuration Single
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350V
Test Condition 600V, 20A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 600μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Length 16.25mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 1999
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Pin Count 3
Power Dissipation 394W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.35kV
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.35kV
Collector Emitter Saturation Voltage 2.2V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 20A
Gate Charge 234nC
Td (on/off) @ 25°C -/245ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 21.4mm
Width 5.3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
NGTB20N120IH AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 10
NGTB20N120IHL AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 317
NGTB20N120IHLWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2799
NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor 単一IGBT
NGTB20N120IHLWG Rochester Electronics, LLC 単一IGBT
NGTB20N120IHRWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2167
NGTB20N120IHRWG ON Semiconductor 単一IGBT
NGTB20N120IHSWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2577
NGTB20N120IHSWG ON Semiconductor 単一IGBT
NGTB20N120IHTG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - IGBT - シングル 2549

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