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NGTB60N65FL2WG 技術仕様
650V/60A IGBT FSII
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 単一IGBT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2015 |
Part Status | Active |
Max Power Dissipation | 595W |
Power - Max | 595W |
Max Collector Current | 100A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 650V |
Test Condition | 400V, 60A, 10 Ω, 15V |
IGBT Type | Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
Switching Energy | 1.59mJ (on), 660μJ (off) |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Type | Standard |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2V |
Reverse Recovery Time | 96 ns |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.64V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 60A |
Gate Charge | 318nC |
Td (on/off) @ 25°C | 117ns/265ns |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
NGTB60N65FL2WG 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください NGTB60N65FL2WG
-
データシート
その他には以下が含まれます: "NGTB6" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'NGTB6'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
NGTB60N60SWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2597 |
NGTB60N60SWG | ON Semiconductor | 単一IGBT | |
NGTB60N60SWG | Rochester Electronics, LLC | 単一IGBT | |
NGTB60N65FL2WG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - IGBT - シングル | 2535 |
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NGTB60N65FL2WG ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NGTB60N65FL2WG 参考価格. NGTB60N65FL2WG パラメーター, NGTB60N65FL2WG データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NGTB60N65FL2WG プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NGTB60N65FL2WG ピン図と回路図と機能の使用方法、 NGTB60N65FL2WG エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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