NRVBB30H60CTT4G 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 整流ダイオードアレイ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Diode Element Material SILICON
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.10.00.80
Terminal Position SINGLE
Base Part Number MBRB30H60CT
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Common Cathode
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 620mV @ 15A
Operating Temperature - Junction -55°C~175°C
Application EFFICIENCY
Forward Voltage 780mV
Average Rectified Current 15A
Peak Reverse Current 300μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 260A
Max Forward Surge Current (Ifsm) 260A
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Series SWITCHMODE™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 175°C
Additional Feature LOW POWER LOSS
Subcategory Rectifier Diodes
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
Number of Elements 2
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 300μA @ 60V
Forward Current 15A
Output Current-Max 7.5A
Halogen Free Halogen Free
Max Reverse Voltage (DC) 60V
Number of Phases 1
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 60V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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NRVBB1060T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 8044
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NRVBB1060W1T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 2708
NRVBB1060W1T4G ON Semiconductor 単相ダイオード整流器
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