NRVBB4030T4G 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単相ダイオード整流器
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Diode Element Material SILICON
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -65°C
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 550mV @ 40A
Forward Current 40A
Application POWER
Average Rectified Current 40A
Peak Reverse Current 350μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 300A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Series SWITCHMODE™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 175°C
Subcategory Rectifier Diodes
Base Part Number MBRB4030
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 350μA @ 30V
Case Connection CATHODE
Operating Temperature - Junction -65°C~175°C
Max Reverse Voltage (DC) 30V
Number of Phases 1
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 30V
Max Forward Surge Current (Ifsm) 300A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NRVBB1060T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 8044
NRVBB1060T4G ON Semiconductor 単相ダイオード整流器
NRVBB1060W1T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 2708
NRVBB1060W1T4G ON Semiconductor 単相ダイオード整流器
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NRVBB20100CTT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2751
NRVBB20100CTT4G ON Semiconductor 整流ダイオードアレイ
NRVBB2060CTT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 3614
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