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NSB9435T1G 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 720mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 3mA
Pin Count 4
Polarity PNP
Case Connection COLLECTOR
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 3A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 300mA, 3A
Transition Frequency 110MHz
hFE Min 125
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Number of Pins 4
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 800mA 1V
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Frequency - Transition 110MHz
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NSB9435T1G 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSB9435T1 ON 特殊なホットIC 143524
NSB9435T1 Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
NSB9435T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 56910

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NSB9435T1G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSB9435T1G 参考価格. NSB9435T1G パラメーター, NSB9435T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSB9435T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSB9435T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSB9435T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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