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NSBA144EDXV6T1G
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NSBA144EDXV6T1G 技術仕様
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V Dual PNP
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 500mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 6 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
Lead Free | Lead Free |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Number of Pins | 6 |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Voltage - Rated DC | -50V |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | -100mA |
Base Part Number | NSBA1* |
Qualification Status | Not Qualified |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 357mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
hFE Min | 80 |
Continuous Collector Current | -100mA |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NSBA144EDXV6T1G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください NSBA144EDXV6T1G
-
データシート
その他には以下が含まれます: "NSBA1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'NSBA1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
NSBA113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2561 |
NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
NSBA113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | BJTトランジスタアレイ | |
NSBA113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2743 |
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
NSBA113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2635 |
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
NSBA114EDP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 6222 |
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
NSBA114EDXV6T1 | ON | 特殊なホットIC | 5048 |
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輸送方法 | ||
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