NSBC114EPDXV6T1G 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 8.193012mg
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form FLAT
Current Rating 100mA
Base Part Number NSBC1*
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 35
Continuous Collector Current 100mA
Height 550μm
Width 1.2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Collector Emitter Saturation Voltage 250mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
Length 1.6mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJTトランジスタアレイ
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2569

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