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NSBC115EPDXV6T1G 技術仕様

SS SOT563 RSTR XSTR TR

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Reach Compliance Code compliant
Power - Max 357mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Emitter Base (R2) 100k Ω
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 100k Ω
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJTトランジスタアレイ
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor BJTトランジスタアレイ
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2569

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NSBC115EPDXV6T1G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSBC115EPDXV6T1G 参考価格. NSBC115EPDXV6T1G パラメーター, NSBC115EPDXV6T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSBC115EPDXV6T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSBC115EPDXV6T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSBC115EPDXV6T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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