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NSBC143TPDXV6T1G
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NSBC143TPDXV6T1G 技術仕様
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 500mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 6 |
Polarity | NPN, PNP |
Power Dissipation | 357mW |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
hFE Min | 160 |
Continuous Collector Current | 100mA |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Number of Pins | 6 |
Published | 2010 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Form | FLAT |
Current Rating | 100mA |
Base Part Number | NSBC1* |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7k Ω |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NSBC143TPDXV6T1G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください NSBC143TPDXV6T1G
-
データシート
その他には以下が含まれます: "NSBC1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'NSBC1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
NSBC113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2623 |
NSBC113EDXV6T1 | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
NSBC113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | BJTトランジスタアレイ | |
NSBC113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2611 |
NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
NSBC113EDXV6T5 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2510 |
NSBC113EDXV6T5 | ON Semiconductor | BJTトランジスタアレイ | |
NSBC113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2570 |
NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
NSBC113EPDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2569 |
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