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NST65010MW6T1G 技術仕様

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 配列 BJT トランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2015
Part Status Active
Max Power Dissipation 380mW
Power - Max 380mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Max Breakdown Voltage 65V
Collector Base Voltage (VCBO) 80V
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Cut Tape (CT)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Polarity PNP
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 65V
Frequency - Transition 100MHz
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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NST65010MW6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2685
NST65011MW6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2760
NST65011MW6T1G ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ

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NST65010MW6T1G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NST65010MW6T1G 参考価格. NST65010MW6T1G パラメーター, NST65010MW6T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NST65010MW6T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NST65010MW6T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NST65010MW6T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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