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NSV2SA2029M3T5G 技術仕様

NSV2SA2029M3T5G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一BJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 265mW
Terminal Form FLAT
Number of Elements 1
Power - Max 265mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 500mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 140MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Reference Standard AEC-Q101
Configuration SINGLE
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type PNP
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500pA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 140MHz
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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NSV2SA2029M3T5G 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSV2SA2029M3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2698
NSV2SC5658M3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2747
NSV2SC5658M3T5G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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NSV2SA2029M3T5G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSV2SA2029M3T5G 参考価格. NSV2SA2029M3T5G パラメーター, NSV2SA2029M3T5G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSV2SA2029M3T5G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSV2SA2029M3T5G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSV2SA2029M3T5G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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