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NSV60100DMTWTBG 技術仕様

DUAL TRANSISTOR PNP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 配列 BJT トランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Power - Max 2.27W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100mA, 2A
Frequency - Transition 155MHz
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 2.27W
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NSV60100DMTWTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2704
NSV60100DUW6T1G ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
NSV60101DMR6T1G ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
NSV60101DMTWTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2657
NSV60101DMTWTBG ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
NSV60200DMTWTBG ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
NSV60200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 15692
NSV60200LT1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
NSV60201LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 15769
NSV60201LT1G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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NSV60100DMTWTBG ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSV60100DMTWTBG 参考価格. NSV60100DMTWTBG パラメーター, NSV60100DMTWTBG データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSV60100DMTWTBG プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSV60100DMTWTBG ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSV60100DMTWTBG エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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