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NSVMMUN2135LT1G 技術仕様

TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 246mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Max Power Dissipation 246mW
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
Lead Free Lead Free
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSVMMBD352WT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2717
NSVMMBD352WT1G ON Semiconductor 整流ダイオードアレイ
NSVMMBD353LT1 ON 特殊なホットIC 3287
NSVMMBD353LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2620
NSVMMBD353LT1G ON Semiconductor 整流ダイオードアレイ
NSVMMBD354LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - RF 2588
NSVMMBD354LT1G ON Semiconductor RFダイオード
NSVMMBD717LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2773
NSVMMBD717LT1G ON Semiconductor 整流ダイオードアレイ
NSVMMBT2222AM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2683

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NSVMMUN2135LT1G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVMMUN2135LT1G 参考価格. NSVMMUN2135LT1G パラメーター, NSVMMUN2135LT1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVMMUN2135LT1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVMMUN2135LT1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVMMUN2135LT1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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