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NSVMMUN2136LT1G 技術仕様

TRANS PNP BIPOLAR SOT23

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Series Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Reach Compliance Code compliant
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 100 k Ω
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 246mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Emitter Base (R2) 100 k Ω
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NSVMMBD352WT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2717
NSVMMBD352WT1G ON Semiconductor 整流ダイオードアレイ
NSVMMBD353LT1 ON 特殊なホットIC 3287
NSVMMBD353LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2620
NSVMMBD353LT1G ON Semiconductor 整流ダイオードアレイ
NSVMMBD354LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - RF 2588
NSVMMBD354LT1G ON Semiconductor RFダイオード
NSVMMBD717LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2773
NSVMMBD717LT1G ON Semiconductor 整流ダイオードアレイ
NSVMMBT2222AM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2683

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NSVMMUN2136LT1G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVMMUN2136LT1G 参考価格. NSVMMUN2136LT1G パラメーター, NSVMMUN2136LT1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVMMUN2136LT1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVMMUN2136LT1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVMMUN2136LT1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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