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NSVT65010MW6T1G 技術仕様

ON SEMICONDUCTOR - NSVT65010MW6T1G - Bipolar Transistor Array, Dual PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 0.9 hFE, SOT-363

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 配列 BJT トランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2015
Part Status Active
Max Power Dissipation 380mW
Power - Max 380mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Max Breakdown Voltage 65V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Packaging Cut Tape (CT)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Polarity PNP
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 65V
Frequency - Transition 100MHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NSVT65010MW6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2775
NSVT65011MW6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2563
NSVT65011MW6T1G ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ

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NSVT65010MW6T1G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NSVT65010MW6T1G 参考価格. NSVT65010MW6T1G パラメーター, NSVT65010MW6T1G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSVT65010MW6T1G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSVT65010MW6T1G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSVT65010MW6T1G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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