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NTBV5605T4G 技術仕様

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 28 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140m Ω @ 8.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 55A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 88W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.5A Ta
Rise Time 122ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V
Fall Time (Typ) 75 ns
Continuous Drain Current (ID) 18.5A
Drain-source On Resistance-Max 0.14Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NTBV5605T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2652

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NTBV5605T4G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NTBV5605T4G 参考価格. NTBV5605T4G パラメーター, NTBV5605T4G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NTBV5605T4G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NTBV5605T4G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NTBV5605T4G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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