NTLUF4189NZTAG 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 6
Power Dissipation-Max 500mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A Ta
Rise Time 4.5ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 1.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.5A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1.2A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
Height 500μm
Width 1.6mm
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 6-UFDFN Exposed Pad
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200m Ω @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 95pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 10.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Drain-source On Resistance-Max 0.2Ohm
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Length 1.6mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
NTLUF4189NZTAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6424
NTLUF4189NZTAG DFN AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 3367
NTLUF4189NZTAG IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 4157
NTLUF4189NZTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 147218

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