NTMD3P03R2G 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / MOSFETトランジスタアレイ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Form GULL WING
Base Part Number NTMD3P03
Number of Elements 2
Power Dissipation 2W
Power - Max 730mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.34A
Rise Time 16ns
Fall Time (Typ) 45 ns
Continuous Drain Current (ID) -3.05A
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
FET Feature Logic Level Gate
Feedback Cap-Max (Crss) 135 pF
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 85MOhm
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 2W
Current Rating -3.05A
Pin Count 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 16 ns
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85m Ω @ 3.05A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs -1.7 V
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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NTMD3903R2G ON 特殊なホットIC 2500
NTMD3N03 MOT 特殊なホットIC 2764
NTMD3N08LR2 ON 特殊なホットIC 2664
NTMD3N08LR2 Rochester Electronics, LLC MOSFETトランジスタアレイ
NTMD3N08LR2G O 特殊なホットIC 3131
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NTMD3P03 AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 2532
NTMD3P03R2 ON 特殊なホットIC 1524
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