NTMFS4925NT3G 技術仕様

MOSFET TRENCH 3.1 30V 6 Ohm NCH

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 23.2W
Turn On Delay Time 9.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.7A Ta 48A Tc
Rise Time 32.7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.01Ohm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Number of Pins 5
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Pin Count 5
Power Dissipation-Max 920mW Ta 23.2W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1264pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 6.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 48A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 9.7A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NTMFS08N004C AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2586
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NTMFS08N2D5C ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
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