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NTP27N06L 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory FET General Purpose Powers
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Current Rating 27A
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48m Ω @ 13.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 990pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 5V
Vgs (Max) ±15V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 80A
RoHS Status Non-RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 88.2W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V
Continuous Drain Current (ID) 27A
Drain-source On Resistance-Max 0.048Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 94 mJ
Lead Free Contains Lead
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NTP27N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2557
NTP27N06G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 27840
NTP27N06G MOS VBSEMI 特殊なホットIC 5447
NTP27N06L AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 37363

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