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NTP5863NG 技術仕様

MOSFET NFET TO220 60V 76A 8MOHM

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2001
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 150W
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 9 ns
Continuous Drain Current (ID) 97A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 150W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 97A Tc
Rise Time 34ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.0078Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 157 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NTP5860N VB 特殊なホットIC 34363
NTP5860NG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 34438
NTP5860NG ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
NTP5860NL O 特殊なホットIC 34383
NTP5860NLG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 34363
NTP5860NLG ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
NTP5862NG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 37363
NTP5863N VB 特殊なホットIC 5000
NTP5863NG AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 410
NTP5864N AMI Semiconductor / ON Semiconductor 特殊なホットIC 82363

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