NTTS2P03R2 技術仕様

MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85m Ω @ 2.48A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -2.48A
Pin Count 8
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 600mW Ta
Power Dissipation 780mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A Ta
Rise Time 20ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.1A
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Lead Free Contains Lead
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NTTS2P02R2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2631
NTTS2P02R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1794
NTTS2P03R2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 8041
NTTS2P03R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6800

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