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NVB5405NT4G 技術仕様

Trans MOSFET N-CH 40V 16.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8m Ω @ 40A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 32V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 116A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 16.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 280A
Avalanche Energy Rating (Eas) 800 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3W Ta 150W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.5A Ta 116A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0058Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 40V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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NVB5404NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2635
NVB5404NT4G ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
NVB5405NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2799
NVB5426NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2534

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