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NVB6412ANT4G 技術仕様

MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 25 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 167W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 167W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.2m Ω @ 58A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 58A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 240A
Lead Free Lead Free
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NVB6410ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2583
NVB6410ANT4G ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
NVB6411ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2633
NVB6411ANT4G ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
NVB6412ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2719
NVB6413ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2662
NVB6413ANT4G ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ

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