NVD6824NLT4G 技術仕様

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製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 単一MOSFETトランジスタ
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.9W
Turn On Delay Time 15 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3468pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 42 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.5A
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Length 6.73mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.9W Ta 90W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A Ta 41A Tc
Rise Time 55ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 80 mJ
Height 2.51mm
Width 6.22mm
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NVD6824NLT4G ブランドメーカー: ON Semiconductor, Bonchip ストック, NVD6824NLT4G 参考価格. NVD6824NLT4G パラメーター, NVD6824NLT4G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NVD6824NLT4G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NVD6824NLT4G ピン図と回路図と機能の使用方法、 NVD6824NLT4G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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